石墨盤在制作過程會遇到什么問題？

      在外延生長范疇，高純石墨盤是必不可少的。它在外延生長中起到加熱和裝載半導體晶圓的效果。現(xiàn)在，主流外延設(shè)備廠商配套的石墨盤在結(jié)構(gòu)上根本相同，均選用在石墨盤基座上規(guī)劃一個晶圓形狀的淺凹槽的方法來裝載晶圓。這種規(guī)劃在生長小標準的晶圓(比如說4寸半導體晶圓)來說是合理的，保護起來也很便利。但對于生長大標準的外延片，基于下降晶圓被旋轉(zhuǎn)的石墨盤甩出的風險，晶圓槽底部相對于石墨盤頂部的高度比小標準石墨盤大一些。
這種規(guī)劃導致了生長大標準外延片尤其是厚膜外延片出現(xiàn)了以下幾個問題：
      1.由于石墨盤與晶圓觸摸區(qū)域較多，在生長厚膜外延片時，沉積的外延層會添加石墨盤與半導體晶圓的粘接，使得生長完成后將外延片從石墨盤中無損傷取出較為困難，乃至可能導致裂片。
      2.因晶圓邊沿處較高的臺階使得該區(qū)域存在氣體湍流，簡單停留較多的生長氣體，然后使得外延片厚度和載流子濃度均勻性較差。
      3.因外延爐一般選用射頻感應(yīng)加熱，熱量傳遞的方向是沿著石墨盤徑向從邊沿到中心，使得石墨盤邊沿的溫度高于中心區(qū)域的溫度，這在大標準外延生長中尤為杰出。