半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多晶硅生產(chǎn)用石墨制品

半導(dǎo)體工業(yè)多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
    多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
    硅半導(dǎo)體用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。當(dāng)今，硅材料是以存儲(chǔ)器為中心的半導(dǎo)體工業(yè)所運(yùn)用的首要材料。其出產(chǎn)制造過程中許多運(yùn)用多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。
    多晶硅的出產(chǎn)工藝為，將純度較高的石英石（SiO2）混以焦炭、木炭等炭素材料，高溫下加熱康復(fù)，生成金屬硅（純度約為98％）；然后在反響爐內(nèi)使金屬硅微粉和氯化氫氣體反響組成硅烷氣體；經(jīng)過重復(fù)精粹前進(jìn)硅烷氣體的純度。
    接下來的工序首要分為兩種方法。一種是將三氯硅烷（ SiHCl3）和氫氣的混合氣體通入溫度為1100℃的石英容器，使其蒸結(jié)在容器中聳峙的多晶硅芯棒的外表，并使芯棒的直徑逐漸變粗至150~200mm的方法（CVD法，稱之為西門子法另一種是將硅粉末和單硅烷/氫的混合氣體通入流化床反響容器內(nèi)，加熱到600℃，使硅烷分化，反響后生成1mm左右的顆粒狀多晶硅的方法，稱之為流化床法。
    作為上述制造工藝中所運(yùn)用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品，首先是在硅烷氣體制造過程中運(yùn)用的用超大型等靜壓石墨制成的1000mm的反響容器。由于逾越1000℃要與含硅或氫的周圍氣體接觸，有必要具有高溫強(qiáng)度和耐化學(xué)反響性。在接下的多晶硅CVD出產(chǎn)法中，運(yùn)用高純石墨制成的部件有多晶硅芯棒的堅(jiān)持器兼作通電電極、氣體導(dǎo)入的通氣嘴和加熱器。另外，用流化床法出產(chǎn)顆粒狀多晶硅時(shí)，也運(yùn)用1000mm的高純石墨反響容器，但是為了避免硅烷氣體走漏，在其外表要進(jìn)行SC涂層處理。