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2022-03
電子器件制造裝置用高純炭素制品
電子器件制造裝置用高純炭素制品電子器件制造裝置用高純炭素制品生產(chǎn)以記憶芯片為代表的電子器件，要經(jīng)過(guò)多種處理工藝。圖所示為有關(guān)形成電子器件回路的硅片處理工序。硅片外延處理工序。在此工序中，以硅片為基板，在其表面生成同樣的硅單晶的同時(shí)，通過(guò)摻加不純物而形成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD法(化學(xué)氣相沉淀)為主流。其裝置的概略如圖所示。工藝流程為，用......
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2022-03
石墨電極板形成工藝與離子注入裝置
石墨電極板形成工藝與離子注入裝置蝕刻工序。除去前道光刻工序所指定的細(xì)微部分，形成回路模式的工序稱(chēng)之為蝕刻工序。在此工序中，有使用液體的濕式蝕刻法和使用氣體的干式蝕刻法?，F(xiàn)在以能滿足回路模式細(xì)微化要求的干式蝕刻法為主流。特別是等離子干式蝕刻法已成為主流，其裝置概略如圖所示。這里所使用的炭素產(chǎn)品有等離子發(fā)生用的上下石墨電極板，同時(shí)兼用作蝕刻氣體整流用的......
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2022-03
其他器件制造用的高純石墨部件
其他器件制造用的高純石墨部件其他器件制造用的高純石墨部件說(shuō)到器件和集成電路一般以硅器件（各種記憶單元、MPU)為代表，但是也有化合物半導(dǎo)體器件和LCD(液晶)。這類(lèi)器件的制造裝置也大多使用高純石墨部件。下面僅介紹其中一部分。（1）化合物半導(dǎo)體器件。最常見(jiàn)的化合物半導(dǎo)體器件有發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光。圖所示為發(fā)光二極管的制造工藝。這里所使用的石墨制品有......
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2022-03
炭石墨電阻器的生產(chǎn)應(yīng)用和制造方法
炭和燈絲類(lèi)型的拼合炭石墨電阻器使用的是一種具有高比電阻的導(dǎo)電材料,其中混合有某種填料和黏合劑,填料(硅石、滑石、黏土、橡膠和酚醛塑料)和黏合劑可以變化而不相同。用不同的組合把填料、黏合劑和導(dǎo)電材料加以配制可以獲得電阻等級(jí)范圍不同的電阻材料。燈絲型電阻器是用炭石墨電阻器材料在一根玻璃棒上烘焙而制成,玻璃棒用陶瓷盒或酚醛塑料盒密封。這是獲得低瓦數(shù)電阻器......
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2022-03
電解石墨電極電阻器的電壓系數(shù)計(jì)算關(guān)系
電解石墨電極電阻器的電壓系數(shù)計(jì)算關(guān)系（1）電壓系數(shù):電解石墨電極電阻器的6名義電阻數(shù)值在1000或以上的是按照在連續(xù)工作電壓下測(cè)定數(shù)值的0.1來(lái)標(biāo)定的。因此電壓系數(shù)按下式計(jì)算:電壓系數(shù)=100-R2式中，R1為在額定連續(xù)工作電壓下的電阻；R2為在0.1額定連續(xù)工作電壓下的電阻。電壓系數(shù)隨著電阻器尺寸的減少而增加，并隨電阻的增加而增加。此外，它還隨電......
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2022-03
可變拼合炭質(zhì)電阻器的特性
可變拼合炭質(zhì)電阻器的特性可變拼合炭質(zhì)電阻器可變炭質(zhì)電阻器使用精細(xì)分散的炭粒子來(lái)傳導(dǎo)電流，同時(shí)依靠一個(gè)接觸棒在導(dǎo)電面上接觸位置的不同來(lái)控制電流通路的長(zhǎng)度。這種電阻器可以用來(lái)控制高阻抗、低功率電路中的電流和電壓。使用這種電阻器的變阻器和電位器，其電阻可變范圍可以從幾歐到幾兆歐?？勺兤春想娮杵饔梢粋€(gè)絕緣基底構(gòu)件，其上附著有一薄層炭的導(dǎo)電材料所構(gòu)成。這個(gè)導(dǎo)......
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2022-03
電解石墨電極可變拼合電阻器的應(yīng)用
電解石墨電極可變拼合電阻器的應(yīng)用電解石墨電極可變電阻器可以和電子裝備一道應(yīng)用，當(dāng)大幅度的變阻必須保證平穩(wěn)而經(jīng)濟(jì)時(shí)。電子裝備所需要的這種特性實(shí)為這種構(gòu)造的拼合電阻器所固有，因?yàn)槠春想娮璨牧系某练e層可以分級(jí)變阻，通過(guò)接觸棒轉(zhuǎn)動(dòng)角度的大小我們就可以獲得范圍廣泛的、不中斷的電阻變化。圖給出曲線A、B和C三個(gè)例子來(lái)表示這種可變拼合電阻器的電阻調(diào)整可能達(dá)到的范......